半导体辐射探测器　器件物理

Gerhard Lutz

Semiconductor Radiation

Detectors

Device Physics

2007, 353pp.

Paperback EUR 59.00

ISBN 978-3-540-71678-5

Gerhard Lutz 著

该书从最基本的原理出发，对现代迅速发展的辐射半导体探测器及相关技术进行了系统和详细的论述。它首先对半导体辐射探测器的工作原理和应用等方面作了一个直观的描述，之后再引入比较严谨和定量的分析。

全书共分为12章，各章内容如下：1.一个简单的引述；第2～3章，对一些基本的半导体物理知识作了一个总结；4.着重讨论了与核辐射探测相关的一些半导体特殊性质；5.论述各种辐射探测器件技术如最基本的有或无反向偏压的整流p-n结探测器；6.介绍了更加复杂的对辐射能量与位置（坐标）进行探测的器件与技术；7.辐射探测电子技术的一般性描述；第8～9章，分别讨论了辐射探测器件与相关电子技术的集成以及特征放大等技术；10.简要地描述了器件的制作工艺与相关技术，主要是供那些对该领域不十分熟悉的人士阅读参考；11.介绍了诸如器件稳定性和辐射损伤等问题；12.讨论了器件设计的计算机摸拟。

本书适用于对该课题的讲学，也适于在该领域从事科研的人士作为参考用书。

孔梅影，研究员

(中国科学院软件研究所)

Kong Meiying, Professor

(Institute of Software,the Chinese Academy of Sciences)

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